FZ1200R45KL3B5NOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: FZ1200R45KL3B5NOSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MODULE IGBT A-IHV190-4
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte	FZ1200R45KL3B5NOSA1
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	4500V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	1200A
Potenza - Max	13500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.85V @ 15V, 1200A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	280nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-50°C ~ 125°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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