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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › FT150R12KE3G_B4
FT150R12KE3G_B4

FT150R12KE3G_B4 - Infineon Technologies

Numero di parte
FT150R12KE3G_B4
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FT150R12KE3G_B4 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
782 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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FT150R12KE3G_B4 Descrizione dettagliata

Numero di parte FT150R12KE3G_B4
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200A
Potenza - Max 700W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 10.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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