FF45MR12W1M1B11BOMA1 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
FF45MR12W1M1B11BOMA1 |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET |
Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
25A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
5.55V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
62nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1840pF @ 800V |
| Potenza - Max |
20mW (Tc) |
| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Chassis Mount |
| Pacchetto / caso |
Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
AG-EASY1BM-2 |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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