FD800R17HP4KB2BOSA2 - Infineon Technologies

Numero di parte: FD800R17HP4KB2BOSA2
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica: FD800R17HP4KB2BOSA2 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica: -
Categoria: Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna: 1 Day
Codice data: New
Quantità di stock: 165 pcs
Prezzo di riferimento: USD 997.035/pcs
Il nostro prezzo: Invia per e-mail: [email protected]

Numero di parte	FD800R17HP4KB2BOSA2
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	800A
Potenza - Max	5200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 800A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	65nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FD800R17HP4KB2BOSA2	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1700V 800A	Dettagli
FD800R17KE3B2NOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 800A	Dettagli
FD800R17KF6CB2NOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 800A	Dettagli