FD200R12PT4B6BOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: FD200R12PT4B6BOSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - IGBT - Moduli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 184.75833/pcs
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Numero di parte	FD200R12PT4B6BOSA1
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	300A
Potenza - Max	1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max)	15µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	12.5nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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