FD16001200R17HP4KB2BOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: FD16001200R17HP4KB2BOSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: IHV IHM T XHP 33-65K
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - IGBT - Moduli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 1580.58/pcs
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Numero di parte	FD16001200R17HP4KB2BOSA1
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Dual Brake Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	1600A
Potenza - Max	1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 1600A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	130nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	FD16001200R17HP4B2BOSA2	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1700V 1600A	Dettagli
	FD16001200R17HP4KB2BOSA1	Infineon Technologies	IHV IHM T XHP 33-65K	Dettagli