BSZ440N10NS3GATMA1

BSZ440N10NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSZ440N10NS3GATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSZ440N10NS3GATMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
426620 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.38594/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per BSZ440N10NS3GATMA1

BSZ440N10NS3GATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSZ440N10NS3GATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 29W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER BSZ440N10NS3GATMA1