BSZ100N03LSGATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	BSZ100N03LSGATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSZ100N03LSG	INFINEON	BSZ100N03LSG INFINEON QFN New Original Stocks	Dettagli
BSZ100N03LSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8	Dettagli
BSZ100N03MSG	INFINEON	BSZ100N03MSG INFINEON QFN New Original Stocks	Dettagli
BSZ100N03MSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8	Dettagli
BSZ100N06LS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8	Dettagli
BSZ100N06LS3G	INFINEON	BSZ100N06LS3G INFINEON QFN New Original Stocks	Dettagli
BSZ100N06LS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8	Dettagli
BSZ100N06NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON	Dettagli