| Numero di parte | BSS131E6327 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 56µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 77pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 100mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT23-3 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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BSS100 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 | Dettagli |
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BSS101 | INF | BSS101 INF TO-92 New Original Stocks | Dettagli |
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BSS110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 | Dettagli |
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BSS110-E6288 | SIEMENS | BSS110-E6288 SIEMENS SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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BSS119 | I | BSS119 I SOT-23 New Original Stocks | Dettagli |
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BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | Dettagli |
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BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | Dettagli |
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BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | Dettagli |
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BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | Dettagli |
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BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | Dettagli |
