BSM50GB120DN2HOSA1

BSM50GB120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSM50GB120DN2HOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2185 pcs
Prezzo di riferimento
USD 75.344/pcs
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BSM50GB120DN2HOSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSM50GB120DN2HOSA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 78A
Potenza - Max 400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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