BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSF134N10NJ3GXUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
205130 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.80266/pcs
Il nostro prezzo
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BSF134N10NJ3GXUMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSF134N10NJ3GXUMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 43W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso 3-WDSON
Peso -
Paese d'origine -

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