BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: BSF134N10NJ3GXUMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 0.80266/pcs
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Numero di parte	BSF134N10NJ3GXUMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta), 43W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso	3-WDSON
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	BSF134N10NJ3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2	Dettagli
	BSF134N10NJ3GXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2	Dettagli