BSD223P L6327

BSD223P L6327 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSD223P L6327
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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BSD223P L6327 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSD223P L6327
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 390mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V
Potenza - Max 250mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6
Peso -
Paese d'origine -

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