BSC026N02KSGAUMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	BSC026N02KSGAUMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSC026N02KS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8	Dettagli
BSC026N02KSG	INFINEON	BSC026N02KSG INFINEON TDSON-.. New Original Stocks	Dettagli
BSC026N02KSGAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8	Dettagli
BSC026N04LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON	Dettagli
BSC026N08NS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON	Dettagli
BSC026NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON	Dettagli