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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › BFS483H6327XTSA1
BFS483H6327XTSA1

BFS483H6327XTSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BFS483H6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BFS483H6327XTSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2503/pcs
Il nostro prezzo
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BFS483H6327XTSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BFS483H6327XTSA1
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno 19dB
Potenza - Max 450mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 65mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6
Peso -
Paese d'origine -

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