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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › BFP650FH6327XTSA1
BFP650FH6327XTSA1

BFP650FH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BFP650FH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANS RF NPN 42GHZ 4.5V 4TSFP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BFP650FH6327XTSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
15000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.191/pcs
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BFP650FH6327XTSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BFP650FH6327XTSA1
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V
Frequenza - Transizione 42GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno 11dB ~ 21.5dB
Potenza - Max 500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 80mA, 3V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore 4-TSFP
Peso -
Paese d'origine -

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