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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › BFP182WH6327XTSA1
BFP182WH6327XTSA1

BFP182WH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BFP182WH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANS RF NPN 12V SOT343
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BFP182WH6327XTSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
315344 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0813/pcs
Il nostro prezzo
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BFP182WH6327XTSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BFP182WH6327XTSA1
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno 22dB
Potenza - Max 250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 35mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT343-4
Peso -
Paese d'origine -

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