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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › BCR135E6433HTMA1
BCR135E6433HTMA1

BCR135E6433HTMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BCR135E6433HTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BCR135E6433HTMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1062250 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0251/pcs
Il nostro prezzo
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BCR135E6433HTMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BCR135E6433HTMA1
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 150MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
Peso -
Paese d'origine -

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