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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › BCR 189F E6327
BCR 189F E6327

BCR 189F E6327 - Infineon Technologies

Numero di parte
BCR 189F E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BCR 189F E6327 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
BCR 189F E6327.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
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3843 pcs
Prezzo di riferimento
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BCR 189F E6327 Descrizione dettagliata

Numero di parte BCR 189F E6327
Stato parte Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSFP-3
Peso -
Paese d'origine -

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