94-2113 - Infineon Technologies

Numero di parte	94-2113
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	116A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3290pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
94-2110	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK	Dettagli
94-2113	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK	Dettagli
94-2158	IR	94-2158 IR CAN New Original Stocks	Dettagli
94-22/G6C-AQ2S1	EVERLIGHT	Side View LED (Through Hole Type)	Dettagli
94-22SUBC	EVERLIGHT	High Performance with Reflector LEDs	Dettagli
94-22SUBC/S400-XX	EVERLIGHT	High Performance with Reflector LEDs	Dettagli
94-22SUGC	EVERLIGHT	High Performance with Reflector LEDs	Dettagli
94-22SUGC/S400-XX/S2	EVERLIGHT	High Performance with Reflector LEDs	Dettagli
94-22SURC	EVERLIGHT	High Performance SMD LED with Reflector	Dettagli
94-22SURC-S530	EVERLIGHT	High Performance with Reflector LEDs	Dettagli