64-2092PBF - Infineon Technologies

Numero di parte	64-2092PBF
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3450pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 66A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
64-2042	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 75A TO-262	Dettagli
64-2092PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	Dettagli
64-2096PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7	Dettagli
64-2105PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 120A TO-262	Dettagli