HTNFET-TC Descrizione dettagliata
Numero di parte |
HTNFET-TC |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
- |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
4.3nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
290pF @ 28V |
Vgs (massimo) |
10V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
50W (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
400 mOhm @ 100mA, 5V |
temperatura di esercizio |
- |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore |
- |
Pacchetto / caso |
- |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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