| Numero di parte | S1621-06 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Non-Insulated |
| Genere | Non-Gendered |
| Numero di posizioni o pin (griglia) | 2 (1 x 2) |
| Intonazione | 0.319" (8.10mm) |
| Altezza | 0.071" (1.80mm) |
| Contatto finito | Tin-Lead |
| Contatto spessore di finitura | 157.5µin (4.00µm) |
| Colore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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S16-4148/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4148/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4148E3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4148E3/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150E3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150E3/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16008LK9 | EXSHINE | SYVCHRONOUS DRAM | Dettagli |
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S16008LK9LK7FB-75A | EXSHINE | SYVCHRONOUS DRAM | Dettagli |
