| Numero di parte | GD5F4GQ4UCYIGY |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frequenza di clock | 120MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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GD5F4GQ4RBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
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GD5F4GQ4RBYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
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GD5F4GQ4RCYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
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GD5F4GQ4RCYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
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GD5F4GQ4UBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
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GD5F4GQ4UBYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
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GD5F4GQ4UCYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
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GD5F4GQ4UCYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Dettagli |
