GD25LQ32DSIG - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Numero di parte	GD25LQ32DSIG
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NOR
Dimensione della memoria	32Mb (4M x 8)
Frequenza di clock	120MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	2.4ms
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	SPI - Quad I/O
Tensione - Fornitura	1.65V ~ 2V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GD25-15P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Dettagli
GD25-15P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Dettagli
GD25-19P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Dettagli
GD25-19P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Dettagli
GD25-24P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Dettagli
GD25-24P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Dettagli
GD25D05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Dettagli
GD25D05CKIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45	Dettagli
GD25D05CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Dettagli
GD25D05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Dettagli