| Numero di parte | GD25D10CKIGR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Frequenza di clock | 100MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 4ms |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-USON (1.5x1.5) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Dettagli |
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GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Dettagli |
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GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Dettagli |
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GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Dettagli |
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GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Dettagli |
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GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Dettagli |
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GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Dettagli |
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GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | Dettagli |
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GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Dettagli |
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GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Dettagli |
