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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Array › MURTA600120R
MURTA600120R

MURTA600120R - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
MURTA600120R
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MURTA600120R Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
MURTA600120R.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
300 pcs
Prezzo di riferimento
USD 83.9917/pcs
Il nostro prezzo
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MURTA600120R Descrizione dettagliata

Numero di parte MURTA600120R
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Anode
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 300A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 300A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 1200V
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower
Peso -
Paese d'origine -

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