| Numero di parte | MSRT200100(A) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Temperatura operativa - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | Dettagli |
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MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | Dettagli |
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MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | Dettagli |
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MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | Dettagli |
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MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | Dettagli |
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MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | Dettagli |
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MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | Dettagli |
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MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | Dettagli |
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MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | Dettagli |
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MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | Dettagli |
