| Numero di parte | MBR200150CT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 100A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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MBR200100 | MCC | 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | Dettagli |
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MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Dettagli |
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MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Dettagli |
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MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A SOT227 | Dettagli |
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MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | Dettagli |
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MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | Dettagli |
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MBR20020 | MCC | 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | Dettagli |
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MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | Dettagli |
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MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | Dettagli |
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MBR20020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | Dettagli |
