GBU8G - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GBU8G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Single Phase
Tecnologia	Standard
Voltage - Peak Reverse (Max)	400V
Corrente - Rettificato medio (Io)	8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 8A
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5µA @ 400V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitore	GBU
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GB-15000-44	ORIGINAL	GB-15000-44 ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
GB-IR333A21BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Dettagli
GB-IR333A21C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Dettagli
GB-IR333A31BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Dettagli
GB-IR333A31C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Dettagli
GB-IR333A51BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Dettagli
GB-IR333A51C	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Dettagli
GB-IR333B21BT	EXSHINE	high power solution infrared emitting diodes	Dettagli
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