GB20SLT12-247 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GB20SLT12-247
Stato parte	Active
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2V @ 20A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	968pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AC
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	GB20SLT12-247	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC	Dettagli
	GB20SLT12-247D	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D	Dettagli