Numero di parte | NDB5060L |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 30V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 13A, 10V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Peso | - |
Paese d'origine | - |