| Numero di parte | NDB5060L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 13A, 10V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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NDB16PFC-5EET | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84BGA | Dettagli |
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NDB4050L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK | Dettagli |
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NDB4060 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | Dettagli |
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NDB4060L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | Dettagli |
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NDB5060L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK | Dettagli |
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NDB6020 | NS | NDB6020 NS TO-263 New Original Stocks | Dettagli |
