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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
HGT1S12N60A4DS
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
HGT1S12N60A4DS Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7740 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.2713/pcs
Il nostro prezzo
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HGT1S12N60A4DS Descrizione dettagliata

Numero di parte HGT1S12N60A4DS
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 54A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max 167W
Cambiare energia 55µJ (on), 50µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 78nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/96ns
Condizione di test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 30ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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