| Numero di parte | FQU5N60CTU |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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FQU5N40TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK | Dettagli |
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FQU5N50CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A IPAK | Dettagli |
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FQU5N50CTU-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A | Dettagli |
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FQU5N50CTU_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A | Dettagli |
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FQU5N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK | Dettagli |
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FQU5N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK | Dettagli |
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