FQD9N25TM_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FQD9N25TM_F085
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 3.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FQD9N08	FAIRC	FQD9N08 FAIRC TO-252.. New Original Stocks	Dettagli
FQD9N08TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK	Dettagli
FQD9N25	FAIRC	FQD9N25 FAIRC TO-252.. New Original Stocks	Dettagli
FQD9N25TF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Dettagli
FQD9N25TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Dettagli
FQD9N25TM-F080	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Dettagli
FQD9N25TM-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Dettagli
FQD9N25TM_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Dettagli
FQD9N25TM_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Dettagli