Numero di parte | FDPC8011S |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 27A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 13V |
Potenza - Max | 800mW, 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |