| Numero di parte | FDMS8050ET30 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta), 423A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 750µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22610pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.65 mOhm @ 55A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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FDMS003N08C | ON Semiconductor | FET ENGR DEV-NOT REL | Dettagli |
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FDMS004N08C | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN | Dettagli |
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FDMS007N08LC | ON Semiconductor | PTNG 80/20V IN 5X6CLIP | Dettagli |
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FDMS015N04B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN | Dettagli |
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FDMS0300S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 31A | Dettagli |
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FDMS0302S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 29A | Dettagli |
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FDMS0306AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 26A PT8 | Dettagli |
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FDMS0306S | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | Dettagli |
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FDMS0308AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 24A PT8 | Dettagli |
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FDMS0308CS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V POWER56 | Dettagli |
