FDC6302P Descrizione dettagliata
Numero di parte |
FDC6302P |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET |
Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
120mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
0.31nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
11pF @ 10V |
Potenza - Max |
700mW |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore |
SuperSOT™-6 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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