FDC3512 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FDC3512
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	634pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FDC-37P(05)	Hirose Electric Co Ltd	CONN D-SUB PLUG PNL MNT	Dettagli
FDC-37PF(05)	Hirose Electric Co Ltd	CONN D-SUB PLUG PNL MNT	Dettagli
FDC-37S(05)	Hirose Electric Co Ltd	CONN D-SUB RCPT PNL MNT	Dettagli
FDC021N30	Fairchild/ON Semiconductor	PT8 N 30V/20V, MOSFET	Dettagli
FDC02SXNN	Sullins Connector Solutions	HI-TEMP CONN SHUNT GREEN .100	Dettagli
FDC05	EXSHINE	5 WATTS OUTPUT POWER	Dettagli
FDC05-12D05	EXSHINE	5 WATTS OUTPUT POWER	Dettagli
FDC05-12D12	EXSHINE	5 WATTS OUTPUT POWER	Dettagli
FDC05-12D15	EXSHINE	5 WATTS OUTPUT POWER	Dettagli
FDC05-12S05	EXSHINE	5 WATTS OUTPUT POWER	Dettagli