Numero di parte | FCH041N65EF_F155 |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 7.6mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 298nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12560pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 595W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 38A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |