FCH040N65S3_F155 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FCH040N65S3_F155
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 6.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	136nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4740pF @ 400V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 32.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	FCH040N65S3-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Dettagli
	FCH040N65S3_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Dettagli