FCA20N60_F109 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	FCA20N60_F109
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3080pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PN
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
FCA20N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P	Dettagli
FCA20N60-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P	Dettagli
FCA20N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN	Dettagli
FCA20N60FS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN	Dettagli
FCA20N60S	FSC	FCA20N60S FSC TO-3P New Original Stocks	Dettagli
FCA20N60_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P	Dettagli