2N5770_D75Z - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	2N5770_D75Z
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Frequenza - Transizione	-
Figura del rumore (dB Typ @ f)	6dB @ 60MHz
Guadagno	15dB
Potenza - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 8mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	50mA
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2N5730	EXSHINE	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES	Dettagli
2N5734	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	Dettagli
2N5740	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5741	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	Dettagli
2N5743	SEME-LAB	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package	Dettagli
2N5758	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	Dettagli
2N5759	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	Dettagli
2N5760	EXSHINE	COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES	Dettagli
2N5769	Fairchild/Micross Components	DIE TRANS NPN SWITCHING 15V	Dettagli
2N5770	Central Semiconductor Corp	TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92	Dettagli