• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › 1N4150
1N4150

1N4150 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
1N4150
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1N4150 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
1N4150.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4418 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per 1N4150

1N4150 Descrizione dettagliata

Numero di parte 1N4150
Stato parte Obsolete
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Corrente - Rettificato medio (Io) 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) 6ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F 2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore DO-35
Temperatura operativa - Giunzione 175°C (Max)
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER 1N4150

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
1N-SS119 1N-SS119 SEMTECH_ELEC SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Dettagli
1N-SS254 1N-SS254 SEMTECH Packing Specification of 52mm Ammo Pack Dettagli
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Dettagli
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Dettagli
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Dettagli
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Dettagli