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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › EPC2030ENGRT
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT - EPC

Numero di parte
EPC2030ENGRT
fabbricante
EPC
Breve descrizione
MOSFET NCH 40V 31A DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
EPC2030ENGRT Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
13750 pcs
Prezzo di riferimento
USD 4.5102/pcs
Il nostro prezzo
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EPC2030ENGRT Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC2030ENGRT
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 20V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 30A, 5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Peso -
Paese d'origine -

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