EPC2021ENG

EPC2021ENG - EPC

Numero di parte
EPC2021ENG
fabbricante
EPC
Breve descrizione
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
EPC2021ENG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
EPC2021ENG.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
425 pcs
Prezzo di riferimento
USD 11.34/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per EPC2021ENG

EPC2021ENG Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC2021ENG
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 40V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER EPC2021ENG