EPC2015CENGR Descrizione dettagliata
Numero di parte |
EPC2015CENGR |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
36A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 9mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
8.7nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1000pF @ 20V |
Vgs (massimo) |
+6V, -4V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4 mOhm @ 33A, 5V |
temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
Die Outline (11-Solder Bar) |
Pacchetto / caso |
Die |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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