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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › ZXTP2012A
ZXTP2012A

ZXTP2012A - Diodes Incorporated

Numero di parte
ZXTP2012A
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
ZXTP2012A Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
14520 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.64/pcs
Il nostro prezzo
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ZXTP2012A Descrizione dettagliata

Numero di parte ZXTP2012A
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 400mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V
Potenza - Max 1W
Frequenza - Transizione 120MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Peso -
Paese d'origine -

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