| Numero di parte | ZXMP6A17E6TA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 637pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-26 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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ZXMP10A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | Dettagli |
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ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | Dettagli |
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ZXMP10A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3A DPAK | Dettagli |
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ZXMP10A17E6 | DIODES | ZXMP10A17E6 DIODES TSOP-6 New Original Stocks | Dettagli |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | Dettagli |
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ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | Dettagli |
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ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | Dettagli |
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ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223 | Dettagli |
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ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 | Dettagli |
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ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | Dettagli |
