ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC - Diodes Incorporated

Numero di parte
ZXMN3B04N8TC
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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ZXMN3B04N8TC Descrizione dettagliata

Numero di parte ZXMN3B04N8TC
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2480pF @ 15V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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