ZXMC10A816N8TC - Diodes Incorporated

Numero di parte	ZXMC10A816N8TC
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	497pF @ 50V
Potenza - Max	1.8W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
ZXMC10A816N8	DIODES	100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET	Dettagli
ZXMC10A816N8TA	ZETEX	ZXMC10A816N8TA ZETEX SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMC10A816N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC	Dettagli